ਉੱਚ ਊਰਜਾ ਘਣਤਾ ਕਾਰਜ

ਬੈਟਰੀ ਦੀ ਊਰਜਾ ਸਟੋਰੇਜ ਸਮਰੱਥਾ, ਟਿਕਾਊਤਾ ਅਤੇ ਲਾਗਤ ਡੇਟਾ ਦਾ ਵਿਸ਼ਲੇਸ਼ਣ ਕੀਤਾ। ਵਰਤਮਾਨ ਵਿੱਚ, ਸਭ ਤੋਂ ਉੱਨਤ ਉੱਚ-ਊਰਜਾ ਘਣਤਾ ਵਾਲੀ ਲਿਥੀਅਮ ਬੈਟਰੀ ਕੈਥੋਡ ਗਤੀਵਿਧੀ ਡੇਟਾ (≈2? 150mahG-200 ਪ੍ਰਭਾਵੀ ਡਿਸਚਾਰਜ ਸਮਰੱਥਾ) 1 ਦੇ ਰੂਪ ਵਿੱਚ ਲੇਅਰਡ ਲਿਥੀਅਮ ਪਰਿਵਰਤਨ ਮੈਟਲ ਆਕਸਾਈਡ LiMo1 (M=Ni, Co ਅਤੇ Mn ਜਾਂ Al) ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਦੀ ਹੈ? ਗ੍ਰੈਫਾਈਟ (ਸਿਧਾਂਤਕ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ ਸਮਰੱਥਾ 372mahG-1 ਹੈ) ਐਨੋਡ ਗਤੀਵਿਧੀ ਡੇਟਾ ਦੇ ਰੂਪ ਵਿੱਚ। ਸਿਲੀਕਾਨ ਦਾ ਹਿੱਸਾ ਜੋੜਨਾ (ਲਗਭਗ li15si4, 3579mahgsi? 1) ਖਾਸ ਊਰਜਾ ਨੂੰ ਹੋਰ ਵਧਾਉਣ ਲਈ ਇੱਕ ਪ੍ਰਭਾਵਸ਼ਾਲੀ ਰਣਨੀਤੀ ਸਾਬਤ ਹੋਈ। ਉਦਾਹਰਨ ਲਈ, ਯੀਮ ਐਟ ਅਲ. ਪੌਲੀਵਿਨਾਇਲ ਇਮਾਈਨ ਅਡੈਸਿਵ ਐਨੋਡਸ ਨੂੰ ਤਿਆਰ ਕਰਨ ਅਤੇ ਟੈਸਟ ਕਰਨ ਲਈ ਗ੍ਰੇਫਾਈਟ ਅਤੇ ਸਿਲੀਕਾਨ ਪਾਊਡਰ (5% wt%) ਦੇ ਸੰਯੁਕਤ ਡੇਟਾ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕੀਤੀ। ਲੇਖਕ ਨੇ ਕਿਹਾ ਕਿ 350 ਚੱਕਰਾਂ ਤੋਂ ਬਾਅਦ, ਸਭ ਤੋਂ ਪ੍ਰਭਾਵੀ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ ਦੀ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ ਸਮਰੱਥਾ 514 mahG-1 ਹੈ, ਜੋ ਕਿ ਵਪਾਰਕ ਗ੍ਰੇਫਾਈਟ ਐਨੋਡਜ਼ ਨਾਲੋਂ 1.6 ਗੁਣਾ ਹੈ। ਹਾਲਾਂਕਿ, ਉੱਚ-ਸਮੱਗਰੀ ਅਤੇ ਉੱਚ-ਲੋਡ ਸਿਲੀਕਾਨ ਐਨੋਡਸ ਦੇ ਸੁਰੱਖਿਆ ਚੱਕਰ ਨੂੰ ਖਤਮ ਕਰਨਾ ਬਹੁਤ ਚੁਣੌਤੀਪੂਰਨ ਹੈ. ਐਨੋਡ ਗਤੀਵਿਧੀ ਡੇਟਾ ਦੇ ਤੌਰ ਤੇ ਸਿਲੀਕੋਨ ਦੇ ਸਭ ਤੋਂ ਗੰਭੀਰ ਨੁਕਸ ਹਨ: (I) ਉੱਚ ਅਟੱਲਤਾ, ਖਾਸ ਤੌਰ ‘ਤੇ ਪਹਿਲੇ ਦੋ ਚੱਕਰਾਂ ਵਿੱਚ, ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਲਾਈਟ ਦੇ ਨਾਲ ਪਾਸੇ ਦੀਆਂ ਪ੍ਰਤੀਕ੍ਰਿਆਵਾਂ; (II) ਅਤੇ ਲਿਥਿਅਮ ਮਿਸ਼ਰਤ ਹੋਣ ਤੋਂ ਬਾਅਦ, ਵਾਲੀਅਮ ਤਬਦੀਲੀ ਵੱਡੀ ਹੁੰਦੀ ਹੈ, ਨਤੀਜੇ ਵਜੋਂ ਕਣ ਚੀਰ ਜਾਂਦੇ ਹਨ ਅਤੇ ਐਨੋਡ ਸਵੈ-ਪੁਲਵਰਾਈਜ਼ ਹੋ ਜਾਂਦੇ ਹਨ।

ਇਹ ਨੋਟ ਕੀਤਾ ਜਾਣਾ ਚਾਹੀਦਾ ਹੈ ਕਿ ਇਹ ਸਾਰੇ ਉਲਟ ਪ੍ਰਭਾਵ ਨਾ ਸਿਰਫ਼ ਬੈਟਰੀ ਕਾਰਵਾਈ ਦੌਰਾਨ ਰੁਕਾਵਟ ਦੇ ਇੱਕ ਵੱਡੇ ਸੰਚਵ ਦਾ ਕਾਰਨ ਬਣਦੇ ਹਨ, ਸਗੋਂ ਕੈਥੋਡ ਲਿਥੀਅਮ ਦੀ ਕਮੀ ਦਾ ਕਾਰਨ ਵੀ ਬਣਦੇ ਹਨ। ਇਸ ਤੋਂ ਇਲਾਵਾ, ਕੰਡਕਟਿਵ ਕਾਰਬਨ ਬਲੈਕ/ਬਾਇੰਡਰ ਨੈਟਵਰਕ ਅਤੇ/ਜਾਂ ਕੁਲੈਕਟਰ ਵਿੱਚ ਸਿਲੀਕਾਨ ਕਣਾਂ ਦੇ ਸੰਪਰਕ ਦਾ ਨੁਕਸਾਨ ਸਮਰੱਥਾ ਵਿੱਚ ਗਿਰਾਵਟ ਨੂੰ ਤੇਜ਼ ਕਰੇਗਾ। ਹਾਲ ਹੀ ਦੇ ਸਾਲਾਂ ਵਿੱਚ, ਸਿਲੀਕਾਨ ਐਨੋਡਜ਼ ਦੀਆਂ ਵੱਡੀਆਂ ਸਮੱਸਿਆਵਾਂ ਨੂੰ ਦੂਰ ਕਰਨ ਲਈ ਨਵੇਂ ਅਤੇ/ਜਾਂ ਸੁਧਰੇ ਹੋਏ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਲਾਈਟਸ, ਐਡਿਟਿਵਜ਼ ਅਤੇ ਪੌਲੀਮਰ ਬਾਈਂਡਰਾਂ ਦੀ ਜਾਂਚ ਕੀਤੀ ਗਈ ਹੈ। 11, 13, 15? 17 ਇਸ ਤੋਂ ਇਲਾਵਾ, ਫੋਕਸ ਉੱਚ-ਗੁਣਵੱਤਾ ਵਾਲੇ ਸਿਲੀਕਾਨ-ਅਧਾਰਿਤ ਰੈਡੌਕਸ ਗਤੀਵਿਧੀ ਡੇਟਾ ਨੂੰ ਤਿਆਰ ਕਰਨ ‘ਤੇ ਹੈ। ਇਹਨਾਂ ਅਧਿਐਨਾਂ ਦੇ ਦ੍ਰਿਸ਼ਟੀਕੋਣ ਤੋਂ, ਇਹਨਾਂ ਵਿੱਚੋਂ ਕੁਝ ਹੀ ਇੱਥੇ ਵਿਚਾਰੇ ਗਏ ਹਨ. ਖਾਸ ਤੌਰ ‘ਤੇ, ਸਿਲੀਕਾਨ ਅਤੇ SiOx ਡੇਟਾ ਅਤੇ ਉਹਨਾਂ ਦੇ ਸੰਯੁਕਤ ਡੇਟਾ, ਖਾਸ ਤੌਰ ‘ਤੇ ਕਾਰਬਨ ਨੈਨੋਪਾਰਟਿਕਲ, ਭਵਿੱਖ ਦੇ ਊਰਜਾ ਸਟੋਰੇਜ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨਾਂ ਵਿੱਚ ਵਿਆਪਕ ਸੰਭਾਵਨਾਵਾਂ ਰੱਖਦੇ ਹਨ। ਉਦਾਹਰਨ ਲਈ, 18-21, Breitung et al. ਸਿਲੀਕਾਨ ਕਣਾਂ ਅਤੇ ਕਾਰਬਨ ਨੈਨੋਫਾਈਬਰਸ ਦੀ ਇੱਕ ਸੰਯੁਕਤ ਸਮੱਗਰੀ ਤਿਆਰ ਕੀਤੀ। ਸੈਂਕੜੇ ਚੱਕਰਾਂ ਦੇ ਬਾਅਦ, ਇਸਦੀ ਸਮਰੱਥਾ ਅਸਲ ਸਿਲੀਕਾਨ ਕਣ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ ਨਾਲੋਂ ਲਗਭਗ ਦੁੱਗਣੀ ਸੀ। ਨਤੀਜੇ ਦਰਸਾਉਂਦੇ ਹਨ ਕਿ ਹਾਈਡ੍ਰੋਥਰਮਲ ਵਿਧੀ ਦੁਆਰਾ ਗਲੂਕੋਜ਼ ਤਿਆਰ ਕੀਤੇ ਜਾਣ ਤੋਂ ਬਾਅਦ ਕਾਰਬਨ-ਕੋਟੇਡ ਸਿਲੀਕਾਨ ਕਣਾਂ ਦੀ ਸਮਰੱਥਾ ਧਾਰਨ ਵਿੱਚ ਸੁਧਾਰ ਹੋਇਆ ਹੈ। ਇਹਨਾਂ ਅਧਿਐਨਾਂ ਤੋਂ ਪ੍ਰੇਰਿਤ, ਇਸ ਅਧਿਐਨ ਦਾ ਉਦੇਸ਼ ਇੱਕ ਕੋਰ-ਸ਼ੈੱਲ ਢਾਂਚੇ ਦੇ ਨਾਲ ਨੈਨੋ-ਸੀ/ਸੀ ਕੰਪੋਜ਼ਿਟਸ ਨੂੰ ਤਿਆਰ ਕਰਨ ਲਈ ਪੌਲੀਮਰ ਪ੍ਰੀ-ਕੋਟੇਡ ਸਿਲੀਕਾਨ ਕਣਾਂ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਨਾ ਹੈ। 700~900℃ ‘ਤੇ ਕਾਰਬਨਾਈਜ਼ਡ ਪਾਊਡਰ ਦੇ ਨਮੂਨਿਆਂ ਨੂੰ ਦਰਸਾਉਣ ਲਈ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਨ ਮਾਈਕ੍ਰੋਸਕੋਪੀ, ਐਕਸ-ਰੇ ਡਿਸਫ੍ਰੈਕਸ਼ਨ ਅਤੇ ਰਮਨ ਸਪੈਕਟ੍ਰੋਸਕੋਪੀ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕੀਤੀ ਗਈ ਸੀ। ਸਿਟੂ ਪ੍ਰੈਸ਼ਰ ਵਿਧੀ ਵਿੱਚ, ਡਿਫਰੈਂਸ਼ੀਅਲ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਕੈਮੀਕਲ ਪੁੰਜ ਸਪੈਕਟ੍ਰੋਮੈਟਰੀ ਅਤੇ ਧੁਨੀ ਨਿਕਾਸੀ ਵਿਧੀ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਅਸਲ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ ਉੱਤੇ si/C ਮਿਸ਼ਰਿਤ ਕਣਾਂ ਦੇ ਵਾਲੀਅਮ ਵਿਸਤਾਰ, ਪ੍ਰਵੇਸ਼ ਵਿਵਹਾਰ ਅਤੇ ਮਕੈਨੀਕਲ ਵਿਗਾੜ/ਡਿਗਰੇਡੇਸ਼ਨ ਵਿਵਹਾਰ ਦਾ ਵਿਸ਼ਲੇਸ਼ਣ ਕਰਨ ਲਈ ਕੀਤੀ ਗਈ ਸੀ।