ಇಂಟಿಗ್ರೇಟೆಡ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ಗಳ ಕಾರ್ಯಕ್ಷಮತೆಯನ್ನು ಕಾಪಾಡಿಕೊಳ್ಳಲು ಅಗತ್ಯತೆಗಳು

1. ಓವರ್ಚಾರ್ಜ್ನ ಹೆಚ್ಚಿನ ನಿರ್ವಹಣೆ ನಿಖರತೆ

ಅಧಿಕ ಚಾರ್ಜ್ ಮಾಡುವಾಗ, ತಾಪಮಾನ ಏರಿಕೆಯಿಂದ ಉಂಟಾಗುವ ಆಂತರಿಕ ಒತ್ತಡದ ಹೆಚ್ಚಳವನ್ನು ತಡೆಗಟ್ಟಲು, ಚಾರ್ಜಿಂಗ್ ಸ್ಥಿತಿಯನ್ನು ನಿಲ್ಲಿಸಬೇಕು. ನಿರ್ವಹಣಾ IC ಬ್ಯಾಟರಿ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಅನ್ನು ಪತ್ತೆ ಮಾಡುತ್ತದೆ, ಮತ್ತು ಅಧಿಕ ಚಾರ್ಜ್ ಪತ್ತೆಯಾದಾಗ, ಅಧಿಕ ಚಾರ್ಜ್ ವಿದ್ಯುತ್ MOSFE ಗಳನ್ನು ಪತ್ತೆ ಮಾಡುತ್ತದೆ, ಇದರಿಂದಾಗಿ ಅವುಗಳನ್ನು ನಿರ್ಬಂಧಿಸಲು ಮತ್ತು ಚಾರ್ಜ್ ಮಾಡುವುದನ್ನು ನಿಲ್ಲಿಸುತ್ತದೆ. ಪ್ರಸ್ತುತ, ನಾವು ಚಾರ್ಜಿಂಗ್ ಡಿಟೆಕ್ಷನ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ನ ಹೆಚ್ಚಿನ ನಿಖರತೆಗೆ ಗಮನ ಕೊಡಬೇಕು. ಬ್ಯಾಟರಿಯನ್ನು ಚಾರ್ಜ್ ಮಾಡುವಾಗ, ಬಳಕೆದಾರರ ಪ್ರಾಥಮಿಕ ಕಾಳಜಿಯು ಬ್ಯಾಟರಿಯನ್ನು ಸಂಪೂರ್ಣವಾಗಿ ಚಾರ್ಜ್ ಮಾಡುವುದು ಮತ್ತು ಸುರಕ್ಷತೆಯ ಸಮಸ್ಯೆಗಳನ್ನು ಪರಿಗಣಿಸುವುದು. ಆದ್ದರಿಂದ, ಅನುಮತಿಸುವ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ತಲುಪಿದಾಗ, ಚಾರ್ಜಿಂಗ್ ಸ್ಥಿತಿಯನ್ನು ಕತ್ತರಿಸಬೇಕು. ಈ ಎರಡು ಷರತ್ತುಗಳನ್ನು ಸಂಯೋಜಿಸಲು, ಹೆಚ್ಚಿನ ನಿಖರವಾದ ಶೋಧಕಗಳು ಅಗತ್ಯವಿದೆ. ಡಿಟೆಕ್ಟರ್ ನಿಖರತೆ ಈಗ 25mV ಆಗಿದೆ ಮತ್ತು ಸುಧಾರಣೆಯ ಅಗತ್ಯವಿದೆ.

2. IC ಯ ವಿದ್ಯುತ್ ಬಳಕೆಯನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡಿ

ಸಮಯ ಕಳೆದಂತೆ, ಚಾರ್ಜ್ ಮಾಡಿದ ನಂತರ ಲಿಥಿಯಂ ಬ್ಯಾಟರಿಯ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ನಿರ್ದಿಷ್ಟತೆಯ ಪ್ರಮಾಣಿತ ಮೌಲ್ಯಕ್ಕಿಂತ ಕೆಳಗಿರುವವರೆಗೆ ಕ್ರಮೇಣ ಕಡಿಮೆಯಾಗುತ್ತದೆ, ಆ ಸಮಯದಲ್ಲಿ ಬ್ಯಾಟರಿಯನ್ನು ಚಾರ್ಜ್ ಮಾಡಬೇಕಾಗುತ್ತದೆ. ಬ್ಯಾಟರಿಯನ್ನು ಚಾರ್ಜ್ ಮಾಡದೆಯೇ ಬಳಸುವುದನ್ನು ಮುಂದುವರಿಸಿದರೆ, ಅತಿಯಾದ ಡಿಸ್ಚಾರ್ಜ್‌ನಿಂದಾಗಿ ಅದು ನಿಷ್ಪ್ರಯೋಜಕವಾಗಬಹುದು. ಬ್ಯಾಟರಿಯ ಅತಿಯಾದ ವಿಸರ್ಜನೆಯನ್ನು ತಡೆಗಟ್ಟಲು, ನಿರ್ವಹಣೆ IC ಬ್ಯಾಟರಿ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಅನ್ನು ಪರೀಕ್ಷಿಸುತ್ತದೆ. ಬ್ಯಾಟರಿ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಓವರ್‌ಡಿಸ್ಚಾರ್ಜ್ ಡಿಟೆಕ್ಷನ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್‌ಗಿಂತ ಕಡಿಮೆಯಾದಾಗ, ಡಿಸ್ಚಾರ್ಜ್ ಮಾಡುವುದನ್ನು ನಿಲ್ಲಿಸಲು ಪವರ್ MOSFET ಅನ್ನು ಡಿಸ್ಚಾರ್ಜ್ ಮಾಡುವ ಬದಿಗೆ ಪ್ಲಗ್ ಮಾಡಿ. ಆದಾಗ್ಯೂ, ಬ್ಯಾಟರಿಯು ಇನ್ನೂ ನೈಸರ್ಗಿಕ ಡಿಸ್ಚಾರ್ಜ್ ಅನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ ಮತ್ತು IC ಬಳಕೆಯ ಪ್ರವಾಹವನ್ನು ನಿರ್ವಹಿಸುತ್ತದೆ, ಆದ್ದರಿಂದ IC ಬಳಕೆಯ ಪ್ರವಾಹವನ್ನು ಕನಿಷ್ಠಕ್ಕೆ ಇರಿಸಿ.

3. ಓವರ್ಕರೆಂಟ್/ಶಾರ್ಟ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ನಿರ್ವಹಣೆ, ಕಡಿಮೆ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಪತ್ತೆ, ಹೆಚ್ಚಿನ ನಿಖರತೆ

ಶಾರ್ಟ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ನ ಕಾರಣ ತಿಳಿದಿಲ್ಲದಿದ್ದರೆ, ತಕ್ಷಣವೇ ವಿಸರ್ಜನೆಯನ್ನು ನಿಲ್ಲಿಸಿ. ಓವರ್‌ಕರೆಂಟ್ ಪತ್ತೆಯು ಅದರ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಡ್ರಾಪ್ ಅನ್ನು ಮೇಲ್ವಿಚಾರಣೆ ಮಾಡಲು ಅನುಗಮನದ ಪ್ರತಿರೋಧವಾಗಿ MOSFET ನ Rds(ON) ಅನ್ನು ಬಳಸುತ್ತದೆ. ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಓವರ್ಕರೆಂಟ್ ಡಿಟೆಕ್ಷನ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ಗಿಂತ ಹೆಚ್ಚಿದ್ದರೆ, ಡಿಸ್ಚಾರ್ಜ್ ಅನ್ನು ನಿಲ್ಲಿಸಿ. ವಿದ್ಯುತ್ MOSFETRds() ಅನ್ನು ಪರಿಣಾಮಕಾರಿಯಾಗಿ ಚಾರ್ಜಿಂಗ್ ಕರೆಂಟ್ ಮತ್ತು ಡಿಸ್ಚಾರ್ಜ್ ಕರೆಂಟ್ ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್ ಮಾಡಲು, ಪ್ರತಿರೋಧ ಮೌಲ್ಯವು ಸಾಧ್ಯವಾದಷ್ಟು ಕಡಿಮೆಯಿರಬೇಕು, ಪ್ರಸ್ತುತ ಪ್ರತಿರೋಧವು ಸುಮಾರು 20m ~ 30m ಆಗಿದೆ, ಪ್ರಸ್ತುತ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಕಡಿಮೆ ಆಗಿರಬಹುದು.

4. ಅಧಿಕ ಒತ್ತಡದ ಪ್ರತಿರೋಧ

ಬ್ಯಾಟರಿ ಪ್ಯಾಕ್ ಅನ್ನು ಚಾರ್ಜರ್‌ಗೆ ಸಂಪರ್ಕಿಸಿದಾಗ, ಹೆಚ್ಚಿನ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ತಕ್ಷಣವೇ ಸಂಭವಿಸುತ್ತದೆ, ಆದ್ದರಿಂದ ನಿರ್ವಹಣೆ IC ಹೆಚ್ಚಿನ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಪ್ರತಿರೋಧದ ಅವಶ್ಯಕತೆಗಳನ್ನು ಪೂರೈಸುವ ಅಗತ್ಯವಿದೆ.

5. ಕಡಿಮೆ ಬ್ಯಾಟರಿ ವಿದ್ಯುತ್ ಬಳಕೆ

ನಿರ್ವಹಣೆಯ ಸಮಯದಲ್ಲಿ, ಸ್ಥಿರ ವಿದ್ಯುತ್ ಬಳಕೆಯ ಪ್ರವಾಹವು 0.1 ಎ ಯಿಂದ ಕಡಿಮೆಯಾಗುತ್ತದೆ.

6.0 ವಿ ಬ್ಯಾಟರಿ

ಶೇಖರಣಾ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯಲ್ಲಿ, ದೀರ್ಘಾವಧಿಯ ಅಥವಾ ಅಸಹಜ ಕಾರಣಗಳಿಂದಾಗಿ ಕೆಲವು ಬ್ಯಾಟರಿಗಳು 0V ಗೆ ಇಳಿಯಬಹುದು, ಆದ್ದರಿಂದ ನಿರ್ವಹಣೆ IC ಅಗತ್ಯಗಳನ್ನು 0V ನಲ್ಲಿ ಚಾರ್ಜ್ ಮಾಡಬಹುದು.

ಇಂಟಿಗ್ರೇಟೆಡ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ಗಳ ಅಭಿವೃದ್ಧಿ ನಿರೀಕ್ಷೆಗಳನ್ನು ಕಾಪಾಡಿಕೊಳ್ಳಿ

ಮೇಲೆ ತಿಳಿಸಿದಂತೆ, ಭವಿಷ್ಯದ ನಿರ್ವಹಣಾ IC ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಪತ್ತೆಹಚ್ಚುವಿಕೆಯ ನಿಖರತೆಯನ್ನು ಇನ್ನಷ್ಟು ಸುಧಾರಿಸುತ್ತದೆ, ನಿರ್ವಹಣೆ IC ಯ ವಿದ್ಯುತ್ ಬಳಕೆಯನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡುತ್ತದೆ, ತಪ್ಪು ಕಾರ್ಯಾಚರಣೆ ಮತ್ತು ಇತರ ಕಾರ್ಯಗಳನ್ನು ತಡೆಗಟ್ಟುವುದನ್ನು ಸುಧಾರಿಸುತ್ತದೆ. ಹೆಚ್ಚಿನ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಪ್ರತಿರೋಧದೊಂದಿಗೆ ಚಾರ್ಜರ್ ಟರ್ಮಿನಲ್ ಸಂಶೋಧನೆ ಮತ್ತು ಅಭಿವೃದ್ಧಿಯ ಕೇಂದ್ರಬಿಂದುವಾಗಿದೆ. ಪ್ಯಾಕೇಜಿಂಗ್ ವಿಷಯದಲ್ಲಿ, SOT23-6 ಕ್ರಮೇಣ SON6 ಪ್ಯಾಕೇಜಿಂಗ್‌ಗೆ ಪರಿವರ್ತನೆಯಾಗುತ್ತಿದೆ ಮತ್ತು ಭವಿಷ್ಯದಲ್ಲಿ ಹಗುರವಾದ ಮತ್ತು ಕಡಿಮೆಗೊಳಿಸುವಿಕೆಗಾಗಿ ಪ್ರಸ್ತುತ ಅವಶ್ಯಕತೆಗಳನ್ನು ಪೂರೈಸಲು CSP ಪ್ಯಾಕೇಜಿಂಗ್ ಮತ್ತು COB ಉತ್ಪನ್ನಗಳೂ ಸಹ ಇರುತ್ತವೆ.

ಕ್ರಿಯಾತ್ಮಕವಾಗಿ, IC ಅನ್ನು ನಿರ್ವಹಿಸುವುದು ಎಲ್ಲಾ ಕಾರ್ಯಗಳನ್ನು ಸಂಯೋಜಿಸಬಾರದು. ವಿಭಿನ್ನ ಲಿಥಿಯಂ ಬ್ಯಾಟರಿ ಡೇಟಾದ ಪ್ರಕಾರ, ಓವರ್‌ಚಾರ್ಜ್ ನಿರ್ವಹಣೆ ಅಥವಾ ಓವರ್‌ರಿಲೀಸ್ ನಿರ್ವಹಣೆಯಂತಹ ಏಕ ನಿರ್ವಹಣಾ IC ಅನ್ನು ಸೂಚಿಸಬಹುದು, ಇದು ವೆಚ್ಚ ಮತ್ತು ಪ್ರಮಾಣವನ್ನು ಬಹಳವಾಗಿ ಕಡಿಮೆ ಮಾಡುತ್ತದೆ.

ಫಂಕ್ಷನ್ ಮಾಡ್ಯೂಲ್, ಸಹಜವಾಗಿ, ಒಂದೇ ಸ್ಫಟಿಕವು ಒಂದೇ ಗುರಿಯಾಗಿದೆ, ಉದಾಹರಣೆಗೆ ಮೊಬೈಲ್ ಫೋನ್ ತಯಾರಕರು ಈಗ ಇಂಟಿಗ್ರೇಟೆಡ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್, ಚಾರ್ಜಿಂಗ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ಮತ್ತು ಪವರ್ ಮ್ಯಾನೇಜ್ಮೆಂಟ್ ಐಸಿಯನ್ನು ಎದುರಿಸುತ್ತಿದ್ದಾರೆ, ಮತ್ತು ಇತರ ಬಾಹ್ಯ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ಗಳು ಮತ್ತು ಲಾಜಿಕ್ ಐಸಿ ಚಿಪ್ ಡ್ಯುಯಲ್ ಚಿಪ್ ಅನ್ನು ರೂಪಿಸುತ್ತವೆ, ಆದರೆ ಈಗ ನಾನು ಬಯಸುತ್ತೇನೆ ಪವರ್ MOSFET ನ ಓಪನ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ಪ್ರತಿರೋಧವನ್ನು ಇರಿಸಿಕೊಳ್ಳಿ, ಇತರ IC ಏಕೀಕರಣದೊಂದಿಗೆ ಶರತ್ಕಾಲದಲ್ಲಿ, ಸಿಂಗಲ್ ಚಿಪ್ ಮೈಕ್ರೋಕಂಪ್ಯೂಟರ್‌ಗೆ ವಿಶೇಷ ಕೌಶಲ್ಯಗಳ ಮೂಲಕವೂ ಸಹ, ಹಣವು ತುಂಬಾ ಹೆಚ್ಚಾಗಿರುತ್ತದೆ, IBe ಭಯ. ಆದ್ದರಿಂದ, ಐಸಿ ಸಿಂಗಲ್ ಸ್ಫಟಿಕದ ನಿರ್ವಹಣೆಯನ್ನು ಪರಿಹರಿಸಲು ಸ್ವಲ್ಪ ಸಮಯ ತೆಗೆದುಕೊಳ್ಳುತ್ತದೆ.