แนะนำการใช้งานและหลักการทำงานของชิป R5426 ในไมโครคอนโทรลเลอร์

ทุกวันนี้ ผลิตภัณฑ์อิเล็กทรอนิกส์แบบพกพาได้รับความนิยมมากขึ้นเรื่อยๆ และอุปกรณ์แบตเตอรี่ของพวกเขาได้กลายเป็นจุดสนใจ แบตเตอรี่ลิเธียมและแบตเตอรี่ลิเธียมโพลิเมอร์ค่อยๆ เปลี่ยนแบตเตอรี่นิกเกิล-แคดเมียมและแบตเตอรี่นิกเกิล-ไฮโดรเจนให้เป็นตัวเลือกแรกสำหรับอุปกรณ์พกพา เนื่องจากมีความหนาแน่นของพลังงานสูง เวลาในการใช้งานที่ยาวนาน และข้อกำหนดในการปกป้องสิ่งแวดล้อมสูง ชิปซ่อมแซมลิเธียมไอออน R5426 ซีรีส์ของ Ricoh ออกแบบมาเป็นพิเศษสำหรับอุปกรณ์พกพา เช่น โทรศัพท์มือถือ พีดีเอ และแบตเตอรี่ลิเธียมเสาหิน

ซีรีส์ R5426 เป็นชิปบำรุงรักษากระแสไฟเกิน/คายประจุ/กระแสไฟเกิน ซึ่งสามารถชาร์จด้วยลิเธียมไอออน/แบตเตอรี่

R5426 series ผลิตด้วยเทคโนโลยีไฟฟ้าแรงสูง ทนแรงดันไฟได้ไม่น้อยกว่า 28V บรรจุใน 6-PIN, SOT23-6 หรือ SON-6 โดยใช้พลังงานต่ำ (ค่ากระแสไฟปกติ 3.0UA, ค่ากระแสไฟสแตนด์บายปกติ 0.1UA ) เกณฑ์การตรวจจับความแม่นยำสูง เกณฑ์ขีดจำกัดการบำรุงรักษาต่างๆ การชาร์จล่าช้าเอาต์พุตในตัวและฟังก์ชันการชาร์จ 0V การบำรุงรักษาการทำงานหลังจากการยืนยัน

วงจรรวมแต่ละวงจรประกอบด้วยตัวตรวจจับแรงดันไฟฟ้าสี่ตัว วงจรอ้างอิง วงจรหน่วงเวลา ตัวป้องกันไฟฟ้าลัดวงจร ออสซิลเลเตอร์ ตัวนับ และวงจรลอจิก เมื่อแรงดันการชาร์จและกระแสไฟชาร์จเพิ่มขึ้นจากน้อยไปมาก และเกินเกณฑ์ที่ตรวจจับได้ (VD1, VD4) พินเอาต์พุต Cout จะถูกชาร์จมากเกินไปโดยเครื่องตรวจจับแรงดันเอาต์พุต /VD1 เพื่อรักษา และตัวตรวจจับการประจุไฟเกินและกระแสไฟเกิน /VD4 ผ่าน ที่สอดคล้องกัน ความล่าช้าภายในเลื่อนไปที่ระดับต่ำ หลังจากที่ชาร์จแบตเตอรี่มากเกินไปหรือมากเกินไป ให้ถอดแบตเตอรี่ออกจากเครื่องชาร์จและเชื่อมต่อโหลดกับ VDD เมื่อแรงดันไฟฟ้าของแบตเตอรี่ลดลงต่ำกว่าค่าการชาร์จไฟเกิน เครื่องตรวจจับสองตัวที่เกี่ยวข้อง (VD1 และ VD4) จะถูกรีเซ็ต และเอาต์พุต Cout จะสูง หากก้อนแบตเตอรี่ยังคงอยู่ในเครื่องชาร์จ แม้ว่าแรงดันแบตเตอรี่จะต่ำกว่าค่าทดสอบการชาร์จไฟเกิน จะไม่สามารถยกเว้นการบำรุงรักษาการชาร์จไฟเกินได้

พิน DOUT คือพินเอาต์พุตของตัวตรวจจับการคายประจุเกิน (VD2) และตัวตรวจจับการคายประจุเกิน (VD3) เมื่อแรงดันการคายประจุต่ำกว่าเกณฑ์แรงดัน VDET2 ของตัวตรวจจับการคายประจุเกินจากสูงไปต่ำ นั่นคือ ต่ำกว่า VDET2 พิน DOUT จะลดลงเหลือต่ำหลังจากหน่วงเวลาคงที่ภายใน

หลังจากตรวจพบการคายประจุเกิน หากอุปกรณ์ชาร์จเชื่อมต่อกับก้อนแบตเตอรี่ เมื่อแรงดันไฟของแบตเตอรี่สูงกว่าเกณฑ์แรงดันไฟเกินของตัวตรวจจับแรงดันไฟเกิน VD2 จะถูกปล่อยและ DOUT จะสูง

เครื่องตรวจจับกระแสเกิน/ไฟฟ้าลัดวงจรในตัว VD3 หลังจากหน่วงเวลาคงที่ในตัว โดยการเปลี่ยน DOUT เอาต์พุตเป็นระดับต่ำ สถานะการคายประจุเกินปัจจุบันจะถูกตรวจจับและการปล่อยจะถูกตัดออก หรือเมื่อตรวจพบกระแสไฟฟ้าลัดวงจร ค่า DOUT จะลดลงทันที และตัดการจ่ายไฟออก เมื่อตรวจพบกระแสไฟเกินหรือไฟฟ้าลัดวงจร ก้อนแบตเตอรี่จะถูกแยกออกจากโหลด VD3 จะถูกปล่อย และระดับ DOUT จะเพิ่มขึ้น

นอกจากนี้ หลังจากตรวจพบการคายประจุ ชิปจะระงับการทำงานของวงจรภายในเพื่อให้มีการใช้พลังงานต่ำมาก ด้วยการตั้งค่าเทอร์มินัล DS ให้อยู่ในระดับเดียวกับเทอร์มินัล VDD ความล่าช้าในการบำรุงรักษาจะลดลง (ยกเว้นการบำรุงรักษาไฟฟ้าลัดวงจร) โดยเฉพาะอย่างยิ่ง ความล่าช้าในการบำรุงรักษาการโอเวอร์ชาร์จสามารถลดลงเหลือ 1/90 ซึ่งช่วยลดเวลาที่ต้องใช้ในการทดสอบและบำรุงรักษาวงจร เมื่อตั้งค่าระดับเทอร์มินัล DS ภายในช่วงที่กำหนด ความล่าช้าของเอาต์พุตจะถูกยกเลิก และตรวจพบกระแสไฟเกินและกระแสไฟเกินในทันที ขณะนี้ การหน่วงเวลาอยู่ที่ประมาณสิบไมโครวินาที