単一のガードを直列に使用できないのはなぜですか

リチウム電池メンテナンスボードの複数のコンポーネントを直列に接続すると、次の問題が発生する可能性があります。

1：充電：バッテリー4.2 Vの電圧メンテナンス、たとえばBプレートカウト充電パイプのメンテナンス、無限の内部抵抗、今回はチューブ電流のカットオフポイント、およびリチウムバッテリーメンテナンスボードの一般的な単一セクションの電界効果チューブの圧力が非常に高いと仮定します低いので倒れるかもしれませんが、充電状態により、バッテリー電圧のすべてに加えて充電電流が低下し、一般的に過圧現象は現れません）、メンテナンスや他の充電管Bの後、充電電圧は追加することができます単一のVDDメンテナンスパネルの表面が過電圧になり、統合パネルBのメンテナンスに損傷を与える可能性があります。

2：放電：修理プレートなどのバッテリー電圧2.7Vのメンテナンスを想定Dout充電チューブの修理、今回は無限の内部抵抗が現在のチューブポイントです、今回は内部の回路に25つのバッテリーがある場合、チューブは25 V電圧、図の緑色の円Doutフィールドエフェクトチューブのソフト障害。したがって、修理作業でも、完全に損傷した場合、損失と修理によって強い電流が流れる蹄鉄もあります。 チューブ修理後、ボードAのV端からボードAのVSS端までの背圧は21Vと高く、V端からVDD端までの背圧は約XNUMXVであり、完全にチップが発生する可能性があります。ダメージ。

上記の他の分析では、フィールドエフェクトチューブデュアルブートデバイスは、通常の状況では、駆動電圧がなくても、電流は方向矢印アイコンアクティビティである可能性があります。たとえば、上の図では、高電圧と電流が発生する可能性があります。逆に、矢印は低電位であり、現在は再び矢印の活動にのみ一致していますが、矢印の活動の方向は終了しています。 したがって、DOUTは放電制御端子です。

通常の状態では、電位を追加せずに矢印方向に移動できますが、約0.3Vの圧力降下が発生します。 したがって、内部電圧降下を排除して高レベルを追加するために、矢印方向の内部電圧降下は数ミリボルトから数十ミリボルトに近づきます。 したがって、MOSFETはXNUMXガイド制御デバイスです。